HBM芯片在通用内存市场的占比从去年的8%增长到15%，主要受到人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和数据中心需求的驱动【HBM内存与AI处理器为何能相得益彰？ 】。HBM通过3D堆叠技术提供了高带宽和低功耗的优势，成为许多高性能应用的首选。

近期，美光科技(Micron)宣布其HBM生产产能已全部售罄直至2025年，这一消息紧随SK海力士(SK Hynix)的步伐，后者先前透露其HBM产能已被预订至明年。

HBM市场在未来几年将继续快速增长，各大厂商也在不断提升产能以满足市场需求。美光和SK海力士是HBM市场的主要玩家，目前三星处于落后地位，Fitch Ratings的高管Shelley Jang表示：“三星仍需要时间来追赶。在生产HBM上存在技术差异。短期内，SK海力士可能会在市场上保持优势。”

SemiAnalysis 首席分析师 Dylan Patel 今年早些时候告诉《EE Times》，SK Hynix 在 HBM 领域拥有领先的市场份额，HBM3 市场份额超过 85%，总体 HBM 市场份额超过 70%。

主要玩家产品如下：

美光在最近一个财季（3月至5月）实现了68.11亿美元的营收，同比增长81.5%，营业利润达到7.19亿美元。其中，DRAM产品线贡献了47亿美元的收入，占比69%，而这部分收入中亦包括了HBM的销售。

值得注意的是，美光HBM3E 8H型号，单季度就为其带来了超过1亿美元的营收，且美光声称其HBM产品相较于竞品在功耗上降低了30%。此外，美光还计划于2025年启动HBM3E 12H的生产，尽管这一时间点略晚于部分竞争对手，但公司预计HBM业务将在明年为公司带来数十亿美元的收入，并预期其HBM市场份额将与DRAM相媲美【美光在全球范围内加大HBM产能 】。

从长远来看，美光预计其在 HBM 市场的份额将在 2025 年左右与其在整个 DRAM 市场的份额大致相同。

英特尔也已公开表示对HBM集成的兴趣，并可能在未来的产品设计中采用HBM，以提升系统性能。同时，AMD一直是HBM技术的积极采用者，其产品中已多次集成HBM，未来亦有望继续深化此方面的应用。

三星、SK海力士和美光都在争相通过技术创新和产能扩张来占据市场优势，特别是在面对即将到来的AI和HPC市场需求增长。

技术迭代加速，HBM市场的竞争格局将更加复杂多变。在下一代的HBM4内存开发上，韩国存储芯片大厂【三星和SK海力士正计划使用1c制程的DRAM 】。

HBM由SK海力士于2014年开发，2018年推出HBM2（第二代），2020年推出HBM2E（第三代），2022年推出HBM3（第四代），今年又推出了HBM3E（第五代）。

“自第一代 HBM 开发以来，每两年开发一代，但从 HBM3E 开始，每年都在更新换代。”SK 海力士表示。HBM4（第六代）推出会更快。

有趣的是，根据 Mehrotra 的说法，今年 DRAM 和 HBM 的行业供应将低于需求，部分原因是 HBM 严重蚕食 DRAM。

在给定的内存工艺节点上，HBM3E 消耗的晶圆是普通 DDR5 内存的 3 倍，才能生产出给定容量。而 HBM4 的良率预计会更差，因为封装的复杂性和对内存的更高性能要求（这也会进一步降低最终 HBM 封装的良率）。

所以，厂商的诀窍在于通过更复杂的产品赚钱，Nvidia、AMD、英特尔和其他公司在未来几年或愿意为 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存多花点钱。