c季度报告显示，为了跟上芯片需求持续增长的步伐，全球半导体制造业的产能可望在2024年提高6%，2025年提高7%，达到每月3370万片晶圆（wpm：8英寸当量，下同）的历史最高产能。

2024年，5纳米及以下节点的前沿产能预计将增长13%，主要驱动力是用于数据中心训练、推理和前沿设备的生成式人工智能（AI）。为了提高处理能效，包括英特尔、三星和台积电在内的芯片制造商准备开始生产2nm全栅极（GAA）芯片，这将使2025年的前沿总产能增长17%。

SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示："从云计算到边缘设备，人工智能处理的普及正在推动高性能芯片的开发竞赛，并推动全球半导体制造产能的强劲扩张。"这创造了一个良性循环：人工智能将推动半导体内容在各种应用领域的增长，而这反过来又会鼓励进一步的投资。"

中国大陆芯片制造商的产能预计将保持两位数增长，继2024年增长15%至885万片之后，2025年将增长14%至1010万片，接近行业总产能的三分之一。尽管存在超额增长的潜在风险，但该地区仍在继续积极投资扩大产能，部分原因是为了减轻近期出口管制的影响。包括华虹集团、力晶、西安集成、中芯国际和DRAM制造商CXMT在内的主要晶圆代工供应商都在大力投资，以提高该地区的半导体制造能力。

预计到2025年，大多数其他主要芯片制造地区的产能增长将不超过5%。预计2025年中国台湾的产能将达到580万wpm，增长率为4%，位居第二；而韩国预计明年将位居第三，在2024年首次突破500万wpm大关后，产能将扩大7%，达到540万wpm。日本、美洲、欧洲和中东以及东南亚的半导体生产能力预计将分别增长470万wpm（同比增长3%）、320万wpm（同比增长5%）、270万wpm（同比增长4%）和180万wpm（同比增长4%）。

主要受英特尔建立代工业务和中国产能扩张的推动，代工领域的产能预计将在2024年和2025年分别增长11%和10%，到2026年达到1270万wpm。

为满足人工智能服务器对更快处理器不断增长的需求，高带宽内存（HBM）得到迅速采用，这推动了内存领域前所未有的产能增长。人工智能应用的爆炸式增长推动了对更密集的HBM堆栈需求的增长。作为回应，领先的DRAM制造商正在增加对HBM/DRAM的投资。预计2024年和2025年DRAM容量都将增长9%。

相比之下，3D NAND市场复苏依然缓慢，预计2024年产能不会增长，2025年预计增长5%。

边缘设备中人工智能应用的兴起预计将使主流智能手机的DRAM容量从8GB增加到12GB，而使用人工智能助手的笔记本电脑将至少需要16GB的DRAM。人工智能向边缘设备的扩展也将刺激对DRAM的需求。